もっとも簡単なFET1石バッファー回路〜究極のナチュラルサウンドを求めて、その4

もっとも簡単なFET1石バッファー

この記事では、FETたったの1石・部品5つだけで作れる、ギターやベース用のもっとも簡単なバッファー回路を紹介します。結論から言えば、入力インピーダンスが高くピックアップ出力をそのまま受けられる十分実用的な回路です。ただし 入力信号が2Vp-p以上になると波形が歪む という注意点があるので、そこだけ押さえておけば安心して使えます。記事の後半では、この歪み問題をバイアス電位で改良した低歪み版もあわせて解説します。

回路図

もっとも簡単なFET1石バッファーの回路図がこちら。部品数は合計でたったの5つです。簡単すぎて心配になりそうですが、さまざまなエフェクターでこの回路が実際に使われてます。十分実用的な回路ですので、安心してもらって大丈夫です。

もっとも簡単なFET1石バッファーの回路図

ここではFETに2SK303を使用しましたが、2SK30Aや2SK369などでも代用可能です。ただしFETの場合、端子の順番が統一されてませんのでご注意ください。参考に、私がよく使うFETの端子配列をのせておきます。

FET	端子（1、2、3の順）
2SK30A	S G D
2SK303	G S D
2SK369	D G S

入力インピーダンス

FETはゲートにほとんど電流を流さないので、ゲートの入力抵抗は無限大と考えられます。よって、回路図中の1MΩの抵抗がそのまま入力インピーダンスとして考えられます。ギターやベースのピックアップ出力インピーダンスは200kΩ〜くらいですから、信号を劣化させずに直接受けることができます。実際は入力インピーダンスを500kΩで設計することが多いです。ハイあがりになりすぎるのを抑え、ノイズ耐性も強くなるからです。ここら辺はお好みで、音色を確認しながら入力抵抗を決めると良いでしょう。

出力インピーダンス

一方で、出力インピーダンスを知るには一筋縄ではいきません。簡易的ですが、負荷抵抗による分圧法でテスターDM6000ARを使って算出してみました。

バッファーの出力に可変抵抗で負荷をかける
1kHz、1Vp-pの正弦波をバッファー回路へ入力し、出力が入力信号の1/2になるように可変抵抗を調整する
その時の負荷の値(R_L)をテスターで測定する

この時(R_L)と出力インピーダンス(Z)は次の関係になるはずです。

$$\frac{R_L}{Z+R_L}=\frac{1}{2}$$ より、 $$Z=R_L$$ です。測定したところ出力インピーダンスは800Ωでした（1kHz、1Vp-p）。

より正確に出力インピーダンスを計算するには、相互コンダクタンス(g_m)が必要です。

実際は出力先機材の入力インピーダンスが10kΩ以下だと波形が歪みます。 ですから算出した値よりもっと出力インピーダンスは高いです。

最大入力電圧

この回路で注意しておきたいことが一点あります。それは、 入力信号の電圧が2Vp-p以上だと波形が歪んでしまう ことです。下の写真のように、2Vp-p以上の信号を入れると、マイナス側がクリップされてしまいました。ですから最大入力信号を2Vp-pとし、それ以下の信号電圧で使ってください。

2Vp-p以上の信号を入力したときにマイナス側がクリップした波形

ただし、ギターやベースのピックアップ出力は大きくても1Vp-p程度ですから、通常は問題ないはずです。下図は1Vp-pの正弦波をFETバッファー回路へ入力したときの出力のようすです。上の波形が入力、下が出力となります。1kHz、10kHz、20kHzのすべてで歪みなくキレイに入力信号を出力できているのが分かります。

1Vp-pの正弦波を入力したときの入力波形と出力波形

なぜ歪む？バイアス電位の関係

実はこの「もっとも簡単なFET1石バッファ」には、バイアス電位を考慮していません。FETのゲートの1MΩがGNDに接地されてますから、通常プラスに振れた電圧しか通さず、マイナス側がクリップするのは当たり前です。もっとも簡単なFET1石バッファーの回路図

逆に言えば1Vp-p以下の小信号ならば波形は歪まないということです。何度も言いますが、 ギターやベースなどの出力は1Vp-p程度ですから、ピックアップ出力を受け取るバッファー回路としては問題ないです。

この歪み問題を改良したバージョンを記事の後半で解説してます。

消費電流

バッファーの電源をオンにし、無信号の時の消費電流を測定してみると0.2mAでした。リチウムイオンの9V電池を500mAhとすると、なんと！、 2500時間も稼働 できる計算になります。オペアンプで作るバッファー回路では、小さくても10mAくらいは電流を消費します。FET1石バッファーはだいぶエコな回路となります。

ここまでをまとめると、もっとも簡単なFET1石バッファーの性能は次のとおりです。

項目	値
入力インピーダンス	1MΩ
出力インピーダンス	800Ω
最大入力信号	2Vp-p
消費電流	0.2mA

FET1石バッファー改良版

FET1石バッファー改良版を少し真面目に作ってみました。ギターやベースなどのバッファーとして使える基板モジュールとして完成させました。 バイアス電位を考慮し、低歪みなバッファーへと改造 しました。部品などにもこだわって、 高音質を維持しつつ低コスト化 が実現できました。

ケースに収めてエフェクターとして使うも良し
ギターやベースへ内蔵してアクティブ回路化へ改造するのも良し

回路図

FET1石バッファー改（Simplest FET Buffer Version2.0）

1Vp-p以上の信号でも歪まない ように、バイアス電位を考慮した設計を行いました。回路図のR5とR6がバイアス電位を作る仕事をしてます。

モジュール基板と部品の特徴

FET1石バッファー改良版のモジュール基板（部品実装面） FET1石バッファー改良版のモジュール基板（カップリングコンデンサ周辺）

回路図をもとにエッチングしたモジュール基板に部品をはんだ付けしました。使用したはんだは「日本スペリア社 SN100C」の鉛フリー＆銀フリーはんだです。 通常の鉛フリーよりも性能が優れており、音質的にも元気 で好んで使ってます。

信号の通り道であるカップリングコンデンサC1とC2を性能の良いメタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサで製作 しました。出力段のカップリングコンデンサが少しでかいですが、電解コンデンサを使うより数倍性能は良好です。

FETに2SK303を使用、抵抗は1/2Wのカーボン抵抗を採用 しました。抵抗もワット数が高いほうが音質が良いとされてます。コストを抑えつつ、出来るだけ品質・音質の良い部品を選びました。

さらに、 オペアンプで作るバッファーに比べ超低ノイズ なのも特徴です。FET1石というシンプルな回路だからこそ実現できる技になります。

基板サイズは約42mm x 27mmで、部品実装済みの高さが21mmほどになります。 FET1石バッファー改良版モジュール基板の側面（実装高さ）